64-1860-23 ［เลิกผลิตแล้ว］IPB200N15N3GATMA1 N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V OptiMOS 3, 3-Pin D2PAK Infineon IPB200N15N3GATMA1
คุณลักษณะ
- Infineon OptiMOSTM3 Power MOSFETs, 100V และอื่นๆ
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(1000 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน: 50 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:150 V
- แหล่งที่มาของการดูดซึมสูงสุด:20 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพคเกจ:D2PAK (TO-263)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- การกระจายพลังงานสูงสุด:150 W
- เวลาหน่วงในการเปิดใช้โดยทั่วไป:14 ns
- รหัส:911-0834
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1860-23 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IPB200N15N3GATMA1 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 322,000
USD: 2,018.43
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(1000pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |