64-1843-06 [เลิกผลิตแล้ว]IRFH5301TRPBF N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V HEXFET, 8-Pin PQFN Infineon IRFH5301TRPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon ช่วงที่ไม่สิ้นสุดของ HEXFET® power MOSFET® ที่ไม่ต่อเนื่องนั้นมีอุปกรณ์ N-channel mount และแพกเกจ Lead และ Form Factor ที่สามารถระบุรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบการระบายความร้อนได้ เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:100 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด: 30 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:2.9 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:PQFN
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 8
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:110 W
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
- รหัส:907-5191
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1843-06 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRFH5301TRPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,120
USD: 7.02
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(10pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]IRFH5301TRPBF N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V HEXFET, 8-Pin PQFN Infineon IRFH5301TRPBF](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/1843/06/64184305.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)