64-1842-83 [เลิกผลิตแล้ว]IRFU3410PBF N-Channel MOSFET, 31 A, 100 V HEXFET, 3-Pin IPAK Infineon IRFU3410PBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 100V, Infinion ช่วงที่ไม่สิ้นสุดของ HEXFET® power MOSFET® ที่ไม่ต่อเนื่องนั้นมีอุปกรณ์ N-channel mount และแพกเกจ Lead และ Form Factor ที่สามารถระบุรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบการระบายความร้อนได้ เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(15 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:31 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:100 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:39 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:IPAK (TO-251)
- ชนิดการเมาต์:ผ่านทางรู
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:110 W
- ความจุอินพุททั่วไป @ Vds:1690 pF @ 25 V
- รหัส:907-5107
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1842-83 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRFU3410PBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,540
USD: 9.66
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(15pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]IRFU3410PBF N-Channel MOSFET, 31 A, 100 V HEXFET, 3-Pin IPAK Infineon IRFU3410PBF](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/1842/83/64184282.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)