64-1842-79 [เลิกผลิตแล้ว]IRFSL7430PBF N-Channel MOSFET, 426 A, HEXFET 40 V, 3-Pin I2PAK Infineon IRFSL7430PBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 40V, Infineon การใช้พลังงาน HEXFET® MOSFET แบบไม่ต่อเนื่องของ Infineon ประกอบด้วยอุปกรณ์ N-channel mount บนพื้นผิวและแพกเกจ leaded และ form factor ซึ่งสามารถตอบได้เกือบทุกรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อน เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(2 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:426 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:40 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:1.2 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:I2PAK (TO-262)
- ชนิดการเมาต์:ผ่านทางรู
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:375 W
- ความยาว:10.67 มม.
- รหัส:907-5097
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1842-79 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRFSL7430PBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 730
USD: 4.58
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(2pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]IRFSL7430PBF N-Channel MOSFET, 426 A, HEXFET 40 V, 3-Pin I2PAK Infineon IRFSL7430PBF](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/1842/79/64184278.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)