64-1839-82 BSC900N20NS3GATMA1 N-Channel MOSFET, 15.2 A, 200 V OptiMOS 3, 8 พิน TDSON Infineon BSC900N20NS3GATMA1
คุณลักษณะ
- Infineon OptiMOSTM3 Power MOSFETs, 100V และอื่นๆ
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(5000 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:15.2 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:200 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:90 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:TDSON
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 8
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:62.5 W
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
- รหัส:178-7500
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1839-82 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | BSC900N20NS3GATMA1 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 846,000
USD: 5,303.08
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(5000pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|