64-1839-71 ［เลิกผลิตแล้ว］BSC196N10NSGATMA1 N-Channel MOSFET, 45 A, 100 V OptiMOS 2, 8 พิน TDSON Infineon BSC196N10NSGATMA1
คุณลักษณะ
- ตระกูล OptiMOSTM2 Power MOSFET ที่ไม่มีตัวตน ตระกูลแชนแนล OptiMOSTM2 N ของ Infinion นําเสนอแรงต้านทานต่อรัฐที่ต่ําที่สุดในอุตสาหกรรมภายในกลุ่มแรงดันไฟฟ้า ชุด Power MOSFET สามารถใช้ได้ในหลายแอพพลิเคชั่นซึ่งรวมถึง High Frequency Telecom, Datacom, Sialar, ไดร์ฟแรงดันไฟฟ้าต่ําและพาวเวอร์ซัพพลายเซิร์ฟเวอร์ ผลิตภัณฑ์ตระกูล OptiMOS 2 อยู่ในช่วงตั้งแต่ 20V และมากกว่า และนําเสนอการเลือกประเภทแพ็คเกจที่แตกต่างกัน
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:45 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:100 V
- ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:16.7 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:TDSON
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:78 W
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
- รหัส:906-4371
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1839-71 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | BSC196N10NSGATMA1 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,120
USD: 7.02
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(10pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |