64-1839-44 BSB028N06NN3GXUMA1 N-Channel MOSFET, 90 A, 60 V OptiMOS 3, 7 พิน WDSON Infineon BSB028N06NN3GXUMA1
คุณลักษณะ
- Infineon OptiMOSTM3 Power MOSFETs, 60 ถึง 80V ผลิตภัณฑ์ OptiMOSTM มีในแพ็คเกจประสิทธิภาพสูง เพื่อรับมือกับแอปพลิเคชันที่ท้าทายมากที่สุด เพื่อให้มีความยืดหยุ่นสูงสุดในช่องว่างที่จํากัด ผลิตภัณฑ์จํากัดเหล่านี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อให้ตรงตามและสูงกว่าความต้องการด้านประสิทธิภาพด้านพลังงานและความหนาแน่นของพลังงาน ของมาตรฐานการควบคุมแรงดันไฟฟ้าที่คมที่สุดในยุคถัดไปในการใช้งานคอมพิวเตอร์ การสลับ MOSFET อย่างรวดเร็วสําหรับเทคโนโลยี SMPS ที่ปรับตามความเหมาะสมสําหรับตัวแปลง DC/DC ที่ตรงตามหลักเกณฑ์ของ JEDEC1) สําหรับแอพพลิเคชันเป้าหมาย N แชนแนล, ระดับ Overlic gate charge x R ผลิตภัณฑ์ (OFM) ต่ํามากสําหรับแพลตฟอร์ม DS(on) แบบปราศจาก Pb
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:90 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:60 V
- แหล่งที่มาของการดูดซึมสูงสุด:2.8 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:WDSON
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน: 7
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:78 W
- ความกว้าง:5.05 มม.
- รหัส:906-4306
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1839-44 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | BSB028N06NN3GXUMA1 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 4,130
USD: 25.70
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|