64-1814-63 ［เลิกผลิตแล้ว］SiGH28N60EF-GE3 N-Channel MOSFET, 28 A, 600 V EF Series, 3-Pin to-247AC Vishay SiHG28N60EF-GE3
คุณลักษณะ
- N-Channel MOSFET พร้อม Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor ลดเวลาการกู้คืนย้อนกลับ, ย้อนกลับค่าธรรมเนียมการกู้คืน และย้อนกลับค่าการกู้คืนปัจจุบันจากผลกําไรต่ํา (FOM) อัตราความจุป้อนเข้าต่ํา (Cis) เพิ่มความทนทานเนื่องจากค่าการเรียกคืนต่ํา ค่าธรรมเนียมอัลตร้าเกตต่ํา (Qg)
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(2 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:28 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:600 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:123 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-30 V, +30 V
- ประเภทแพ็คเกจ:TO-247AC
- ชนิดการเมาต์:ผ่านทางรู
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:250 W
- อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน:+150°ซ.
- รหัส:903-4497
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1814-63 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SiHG28N60EF-GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,630
USD: 10.22
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(2pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |