64-1814-55 ［เลิกผลิตแล้ว］SIHP33N60E-GE3 N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V E Series, 3-Pin to-220AB Vishay SIHP33N60E-GE3
คุณลักษณะ
- N-Channel MOSFET, E Series, Low Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor E Series Power MOSFET จาก Vishay เป็นทรานซิสเตอร์แรงดันไฟฟ้าสูงที่มีคุณลักษณะความต้านทานต่ํามาก ปรับลดความต้านทานสูงสุด ปรับลดความสามารถในการทํางานต่ํา และการสลับความเร็วได้อย่างรวดเร็ว ซึ่ง มี อยู่ ใน ระดับ การ จัด อันดับ ปัจจุบัน ที่ หลากหลาย แอพพลิเคชั่นทั่วไปจะประกอบด้วยเซิร์ฟเวอร์และพาวเวอร์ซัพพลายของโทรคมนาคม, แสงไฟ LED, ตัวแปลงแบบฟลายแบ็ค, การแก้ไข Power Factor (PFC) และพาวเวอร์ซัพพลายของโหมดสวิตช์ (SMPS) คุณลักษณะ จํานวนต่ํา (FOM) RDS(on) x Qg ความจุอินพุทต่ํา (Cis) อัตราต่อต้าน (RDS(on)) อัตราการชาร์จเกตต่ํามาก (Qg) ลดการสลับเปลี่ยนและการสูญเสียการนําไฟฟ้าอย่างรวดเร็ว
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1 ชิ้น
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:33 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:600 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:99 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-30 V, +30 V
- ชนิดแพคเกจ:TO-220AB
- ชนิดการเมาต์:ผ่านทางรู
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:278 W
- อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน:+150°ซ.
- รหัส:903-4471
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1814-55 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SIHP33N60E-GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 710
USD: 4.45
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1piece | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |