64-1813-73 ［เลิกผลิตแล้ว］FCD4N60TM N-Channel MOSFET, 3.9 A, 600 V SuperFET, DPAK 3-Pin บน Semiconductor FCD4N60TM
คุณลักษณะ
- SuperFET® และ SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor แฟร์ไชลด์ได้เพิ่มพลังงานสูงในตระกูล MOSFET ของ SuperFET® II โดยใช้ Super Junction Technology ด้วยประสิทธิภาพระดับไดโอดของร่างกายที่ทรงพลังที่สุดในแอพพลิเคชัน AC-DC Switch Mode Power Spubles (SMPS) เช่น เซิร์ฟเวอร์, โทรคมนาคม, การประมวลผล, พาวเวอร์ซัพพลายอุตสาหกรรม, UPS/ESS, เครื่องปรับพลังงานแสงอาทิตย์, แอพพลิเคชั่นที่มีความหนาแน่นของพลังงานสูง, ประสิทธิภาพของระบบและความน่าเชื่อถือ การใช้เทคโนโลยีการชาร์จที่ล้ําหน้าทําให้นักออกแบบมีโซลูชั่นที่มีประสิทธิภาพ ประหยัด และประสิทธิภาพสูงซึ่งใช้พื้นที่บนบอร์ดน้อยลง และช่วยปรับปรุงความน่าเชื่อถือ
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน: 3.9 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:600 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:1.2 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 3V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-30 V, +30 V
- ชนิดแพคเกจ:DPAK (TO-252)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- การกระจายพลังงานสูงสุด:50 W
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
- รหัส:903-4128
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1813-73 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | FCD4N60TM | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,180
USD: 7.40
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(10pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |