ข้อมูลจําเพาะ

• ปริมาณ:1set(250 ชิ้น)
• กระแสไปข้างหน้าสูงสุด:250mA
• จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
• แรงดันไฟฟ้าย้อนกลับสูงสุด:70V
• ประเภทแพคเกจ:SOT-23
• เทคโนโลยีไดโอด:รอยต่อซิลิคอน
• การปล่อยแรงดันไฟฟ้าสูงสุดสําหรับส่งต่อ:1.25V
• ความจุไดโอดสูงสุด:1.5pF
• อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
• อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน:+150°ซ.
• ความยาว:3.1 มม.
• ความกว้าง:1.43 มม.
• ความสูง:0.97 มม.
• ขนาด:3.1 x 1.43 x 0.97 มม.
• การกระจายพลังงาน:350mW
• รหัส:902-8697
•