64-1794-23 ［เลิกผลิตแล้ว］IPD50R650CEATMA1 N-Channel MOSFET, 6.1 A, 550 V CoolMOS CE, 3 พิน DPAK Infineon IPD50R650CEATMA1
คุณลักษณะ
- Infineon CoolMOSTM CE Power MOSFET
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(20 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน: 6.1 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:550 V
- ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:650 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-30 V, +30 V
- ชนิดแพคเกจ:DPAK (TO-252)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:47 W
- อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน:+150°ซ.
- รหัส:897-7548
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1794-23 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IPD50R650CEATMA1 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,470
USD: 9.15
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(20pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |