64-1793-77 ［เลิกผลิตแล้ว］BSO080P03NS3EGXUMA1 P-Channel MOSFET, 14.8 A, 30 V OptiMOS 3, 8 พิน DSO Infineon BSO080P03NS3EGXUMA1
คุณลักษณะ
- Infineon OptiMOSTM3 Power MOSFET สูงสุดถึง 40V ผลิตภัณฑ์ OptiMOSTM มีในแพ็คเกจประสิทธิภาพสูง เพื่อรับมือกับแอปพลิเคชันที่ท้าทายมากที่สุด เพื่อให้มีความยืดหยุ่นสูงสุดในช่องว่างที่จํากัด ผลิตภัณฑ์จํากัดเหล่านี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อให้ตรงตามและสูงกว่าความต้องการด้านประสิทธิภาพด้านพลังงานและความหนาแน่นของพลังงาน ของมาตรฐานการควบคุมแรงดันไฟฟ้าที่คมที่สุดในยุคถัดไปในการใช้งานคอมพิวเตอร์ การสลับ MOSFET อย่างรวดเร็วสําหรับเทคโนโลยี SMPS ที่ปรับตามความเหมาะสมสําหรับตัวแปลง DC/DC ที่ตรงตามหลักเกณฑ์ของ JEDEC1) สําหรับแอพพลิเคชันเป้าหมาย N แชนแนล, ระดับ Overlic gate charge x R ผลิตภัณฑ์ (OFM) ต่ํามากสําหรับแพลตฟอร์ม DS(on) แบบปราศจาก Pb
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(2500 ชิ้น)
- ชนิดของช่อง:P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:14.8 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด: 30 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:11 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:1.9V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 3.1V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-25 V, +25 V
- ชนิดแพคเกจ:DSO
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 8
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:2.5 W
- เวลาหน่วงในการเปิดใช้งานโดยทั่วไป:16 ns
- หมายเลขรหัส:165-8064
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1793-77 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | BSO080P03NS3EGXUMA1 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 144,740
USD: 907.29
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(2500pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |