64-1793-61 [เลิกผลิตแล้ว]IPD60R600E6BTMA1 N-Channel MOSFET, 7.3 A, 650 V CoolMOS E6, DPAK Infineon 3 พิน IPD60R600E6BTMA1
คุณลักษณะ
- Infineon CoolMOSTME6/P6 series Power MOSFET ช่วงอินฟินิออนของ CoolMOS ™ E6 และ P6 series MOSFET อุปกรณ์ที่มีประสิทธิภาพสูงเหล่านี้สามารถใช้ได้ในหลายๆ โปรแกรมประยุกต์ ซึ่งรวมถึง Power Factor Correction (PFC) แสง และอุปกรณ์สําหรับผู้บริโภค เช่นเดียวกับโซลาร์ เทเลคอม และเซิร์ฟเวอร์
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(2500 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน: 7.3 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:650 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:600 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 3.5V
- ค่าแรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2.5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-30 V, +30 V
- ชนิดแพคเกจ:DPAK (TO-252)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:63 W
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
- รหัส:168-8582
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1793-61 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IPD60R600E6BTMA1 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 220,890
USD: 1,374.38
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(2500pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]IPD60R600E6BTMA1 N-Channel MOSFET, 7.3 A, 650 V CoolMOS E6, DPAK Infineon 3 พิน IPD60R600E6BTMA1](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/1793/61/64179361.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)