64-1777-90 BSL308PEH6327XTSA1 Dual P-Channel MOSFET, 2 A, 30 V OptiMOS P, 6 พิน TSOP Infineon BSL308PEH6327XTSA1
คุณลักษณะ
- ไม่มี OptiMOSTMP P-Channel Power MOSFET OptiMOS ™ P-Channel Power MOSFET ได้รับการออกแบบเพื่อให้คุณลักษณะที่เหนือกว่ามีคุณภาพในการทํางาน โดยประกอบด้วยการสูญเสียการสลับเป็นพิเศษ ความต้านทานต่ําของรัฐ การจัดอันดับของกลุ่มอาวาล็องช์ และเป็น AEC ที่มีคุณสมบัติเหมาะสมสําหรับโซลูชั่นยานยนต์ แอพพลิเคชั่นต่างๆ ประกอบด้วย dc-dc, การควบคุมมอเตอร์, ยานยนต์และ eMobility โหมดการปรับปรุง Avalance จัดอันดับประสิทธิภาพการเปลี่ยนแปลงต่ําและการสูญเสียพลังงานอย่างน้อย Pb ปราศจากการนําไฟฟ้า แพ็คเกจมาตรฐานที่เป็นไปตาม RoHS OptiMOSTM P-Channel Series: ช่วงอุณหภูมิตั้งแต่ -55°C ถึง +175°C
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(3000 ชิ้น)
- ชนิดของช่อง:P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด:2 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด: 30 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:130 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:1V
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:TSOP
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน: 6
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:500 mW
- ชุดข้อมูล:OptiMOS P
- หมายเลขรหัส:165-5552
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1777-90 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | BSL308PEH6327XTSA1 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 150,000
USD: 940.26
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(3000pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|