ON Semiconductor

64-1751-55 [เลิกผลิตแล้ว]บนตัวนํา ESD5381MUT5G, ไทรกทัศน์ TVS Diode, 0.3W, 2 พิน DFN ESD5381MUT5G

คุณลักษณะ

  • ESD Series รุ่นแรงดันไฟฟ้าชั่วคราว ออกแบบมาเพื่อปกป้องส่วนประกอบที่ขึ้นกับแรงดันไฟฟ้าจาก ESD (ประจุไฟฟ้าสถิต) ขีดความสามารถในการจํากัดที่ยอดเยี่ยม การรั่วไหลที่ต่ํา และเวลาในการตอบสนองที่รวดเร็วช่วยให้การป้องกันคลาสที่ดีที่สุดสําหรับการออกแบบที่เปิดเผยกับ ESD

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1ถุง(100 ชิ้น)
  • การกําหนดค่าไดโอด: Single
  • ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้า:10.5V
  • แรงดันไฟฟ้าต่ําสุดสําหรับการแบ่ง: 6.1V
  • ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
  • ชนิดแพคเกจ:DFN
  • ค่าแรงดันไฟฟ้ากลับสูงสุด:3V
  • จํานวนพิน: 2
  • การกระจายพลังงานสูงสุดของชีพจรสูงสุด:0.3W
  • กระแสสูงสุดในชีวิต:1A
  • การป้องกัน ESD:ใช่
  • จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
  • อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
  • อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน:+150°ซ.
  • ทดสอบปัจจุบัน:1mA
  • รหัส:882-9698
  •  
หมายเลขใบสั่ง 64-1751-55
หมายเลขแบบจําลอง ESD5381MUT5G
ราคามาตรฐาน JPY: 1,510 USD: 9.47
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1bag(100pieces)
  เลิกผลิตแล้ว
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น -