64-1735-24 ［เลิกผลิตแล้ว］IRFB7730PBF N-Channel MOSFET, 246 A, 75 V HEXFET, 3-Pin to-220AB Infineon IRFB7730PBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 60V ถึง 80V, Infinion ช่วงที่ไม่สิ้นสุดของ HEXFET® power MOSFET® ที่ไม่ต่อเนื่องนั้นมีอุปกรณ์ N-channel mount และแพกเกจ Lead และ Form Factor ที่สามารถระบุรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบการระบายความร้อนได้ เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:246 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:75 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:2.6 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 3.7V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2.1V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:TO-220AB
- ชนิดการเมาต์:ผ่านทางรู
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:375 W
- ความกว้าง:4.83 มม.
- รหัส:879-3315
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1735-24 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRFB7730PBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,600
USD: 10.03
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |