64-1721-21 ［เลิกผลิตแล้ว］STMcroelectorics 600V 6A, SiC Shottky Diode, 3-Pin D2PAK STPSC606G-TR STPSC606G-TR
คุณลักษณะ
- Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, STM Microectroelectronics ไดโอด Silicon Carbide (SiC) เป็นตัวแบ่งกระแสไฟฟ้าพลังสูงสุด ไม่มีหรือไม่สามารถสลับการทํางานย้อนกลับได้ โดยไม่ขึ้นอยู่กับอุณหภูมิที่จ่ายให้กับแอพพลิเคชั่น PFC High forward
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- การกําหนดค่าไดโอด: Single
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
- แรงดันไฟฟ้าแบบย้อนกลับสูงสุด:600V
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- ประเภทแพคเกจ:D2PAK (TO-263)
- ชนิดไดโอด:แบบแผน SiC
- จํานวนหมุด: 3
- การปล่อยแรงดันไฟฟ้าสูงสุดสําหรับส่งต่อ:2.1V
- กระแสไฟฟ้าล่วงหน้าไม่ตรงสุดยอด:110A
- รหัส:877-2996
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1721-21 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | STPSC606G-TR | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,550
USD: 9.64
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |