64-1714-60 ［เลิกผลิตแล้ว］STH175N4F6-2AG N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V StripFET F6, 3-Pin H2PAK STMcroefices STH175N4F6-2AG
คุณลักษณะ
- N-Channel StripFETTM F6, STM Microectrolectories STripFETTM MOSFETM พร้อมด้วยช่วงแรงดันไฟฟ้าอันกว้างไกล มอบประจุ ultra-low gate และความต้านทานต่ํา
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(1000 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:120 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:40 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:2.4 Ω
- ค่าแรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 4.5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 3V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:H2PAK
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:150 W
- ประจุประตูแบบปกติ @ Vgs:130nC @ 10 V
- รหัส:165-5563
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1714-60 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | STH175N4F6-2AG | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 132,000
USD: 828.00
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(1000pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |