64-1709-85 [เลิกผลิตแล้ว]MMIX1F420N10T แชนแนล MOSFET, 334 A, 100 V GigaMOS, HiperFET, 24 พิน SMPD IXYS MMIX1F420N10T
คุณลักษณะ
- N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFETTM GigaMOSTM Series
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1 ชิ้น
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:334 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:100 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:2.6 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-30 V, +30 V
- ชนิดแพคเกจ:SMPD
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน: 24
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:680 W
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
- รหัส:875-2497
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1709-85 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | MMIX1F420N10T | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 4,500
USD: 28.00
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1piece | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]MMIX1F420N10T แชนแนล MOSFET, 334 A, 100 V GigaMOS, HiperFET, 24 พิน SMPD IXYS MMIX1F420N10T](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/1709/85/64170984.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)