64-1695-75 ［เลิกผลิตแล้ว］Vishay VS-GB75YF120N, ECONO2, N-Channel Dual Half Bridge IGBT Module, 100 A สูงสุด, 1200 V, PCB Mount VS-GB75YF120N
คุณลักษณะ
- IGBT Modules, Vishay โมดูล IGBT ที่มีประสิทธิภาพสูงซึ่งมาพร้อมกับตัวเลือกของเทคโนโลยี PT, NPT และ Trench IGBT ช่วงของการใช้งานได้แก่ สวิตช์เดี่ยว อินเวอร์เตอร์ ฮอปเปอร์ ครึ่งบริดจ์ หรือการปรับตั้งค่าแบบกําหนดเอง โมดูล IGBT เหล่านี้ได้รับการออกแบบมาให้ใช้เป็นอุปกรณ์สําหรับสลับตัวหลักในโหมดสวิตช์ พาวเวอร์ซัพพลาย, อุปกรณ์สําหรับจ่ายไฟที่ไม่สามารถขัดต่อได้, การเชื่อมอุตสาหกรรม, ไดร์ฟมอเตอร์ และระบบการแก้ไขไฟฟ้า แอพพลิเคชั่นทั่วไปจะประกอบด้วยตัวแปลงที่เพิ่มขึ้นและตัวแปลงรูปเหรียญ ตัวแปลงแบบไปข้างหน้าและแบบสองหน้า ครึ่งสะพาน สะพานเต็ม (H-bridge) และสะพานแบบสามชั้น ลักษณะแพ็คเกจที่เป็นมาตรฐานอุตสาหกรรมที่หลากหลาย สไตล์ Direct บน Heat sink Choice of PT, NPT และเทคโนโลยี Trench IGBT Low-VCE(on) IGBT Switching ความถี่จาก 1 kHz ถึง 150 kHz ประสิทธิภาพการทํางานแบบชั่วคราวมีแรงดันไฟฟ้าที่แยกต่างหากสูงถึง 3500 V 1000 % ไม่มีตะกั่วและเป็นไปตามข้อกําหนด Ro (RoHS) °ซ.ถึง +175 °ซ.)
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1 ชิ้น
- การปรับตั้งค่าทรานซิสเตอร์:สะพานคู่ครึ่ง
- ตัวเก็บรวบรวมแบบต่อเนื่องสูงสุดที่ใช้ได้ในปัจจุบัน:100 A
- แรงดันไฟฟ้าตัวเก็บรวบรวมสูงสุด:1200 V
- ±: 20V
- ชนิดช่อง:N
- ชนิดการเมานท์:PCB เมานท์
- ประเภทแพ็คเกจ:ECONO2
- จํานวนพิน:49
- ความเร็วในการสลับสี:8 → 60kHz
- การกระจายพลังงานสูงสุด:480 W
- ขนาด:107.8 x 45.4 x 17มม.
- ความสูง:17 มม.
- ความยาว:107.8มม.
- อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน:+150°ซ.
- ความกว้าง:45.4 มม.
- รหัส:873-2339
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1695-75 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | VS-GB75YF120N | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 44,300
USD: 277.69
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1piece | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |