64-1661-10 ［เลิกผลิตแล้ว］IRF6217TRPBF P-Channel MOSFET, 700 mA, 150 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infinion IRF6217TRPBF
คุณลักษณะ
- P-Channel Power MOSFET 100V ถึง 150V, Infineon รูปแบบการแยกของ HEXFET® power MOSFET® ที่ไม่ต่อเนื่องนั้นมีอุปกรณ์ P-channel mount บนพื้นผิวและแพกเกจ leaded และ form factor ที่สามารถระบุได้ว่าเค้าโครงของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อนได้เกือบทุกรูปแบบ เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(25 ชิ้น)
- ชนิดของช่อง:P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:700 mA
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:150 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:2.4 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 3V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SOIC
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 8
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:2.5 W
- ความสูง:1.5 มม.
- รหัส:865-5771
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1661-10 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRF6217TRPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,510
USD: 9.47
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(25pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |