ON Semiconductor

64-1655-42 [เลิกผลิตแล้ว]FDG6332C-F085 Dual N/P-Channel MOSFET, 600 mA, 700 mA, 20 V PowerTrench, 6-Pin SOT-363 (SC-70) บน Semiconductor FDG6332C-F085

คุณลักษณะ

  • PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Semiconductor แบบแฟร์ไชลด์ PowerTrench® MOSFET คือสวิตช์พาวเวอร์ที่มีประสิทธิภาพสูงสุดซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของระบบและความหนาแน่นของพลังงาน ทั้งนี้ยังรวมค่าธรรมเนียมเกตขนาดเล็ก (Qg), ค่าธรรมเนียมในการกู้คืนย้อนกลับขนาดเล็ก (Qr) และไดโอดสําหรับการกู้คืนแบบย้อนกลับนุ่มนวล ซึ่งทําให้การเปลี่ยนแปลงแบบซิงโครนัสในพาวเวอร์ซัพพลาย AC/DC รวดเร็วยิ่งขึ้น PowerTrench® MOSFET ล่าสุด ใช้โครงสร้างเกตที่มีฉนวนป้องกัน ซึ่งให้ดุลในการเรียกเก็บค่าธรรมเนียม ด้วยการใช้เทคโนโลยีที่ล้ําหน้านี้ FOM (รูปที่คุณค่า) ของอุปกรณ์เหล่านี้จะต่ํากว่ารุ่นก่อนหน้าเป็นอย่างมาก ประสิทธิภาพของไดโอดของตัวอ่อนของ PowerTrench® MOSFETs สามารถกําจัดวงจรย่อยหรือแทนที่ MOSFET ที่มีระดับแรงดันไฟฟ้าสูงขึ้น

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1ถุง(25 ชิ้น)
  • ชนิดของช่อง:N, P
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:600 mA, 700 mA
  • ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:20 V
  • ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:700 Ω
  • แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 0.3V
  • แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-12 V, +12 V
  • ประเภทแพ็คเกจ:SOT-363 (SC-70)
  • ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
  • การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:ไม่ระบุ
  • โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • ประเภท:พลังงาน
  • การกระจายพลังงานสูงสุด:300 mW
  • เวลาหน่วงในการปิดเครื่องโดยทั่วไป:6 ns, 9 ns
  • รหัส:864-8155
  •  
หมายเลขใบสั่ง 64-1655-42
หมายเลขแบบจําลอง FDG6332C-F085
ราคามาตรฐาน JPY: 1,030 USD: 6.46
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1bag(25pieces)
  เลิกผลิตแล้ว
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น -