64-1655-32 FDD18N20LZ N-Channel MOSFET, 16 A, 200 V UniFET, DPAK 3 พินบน Semiconductor FDD18N20LZ
คุณลักษณะ
- UniFETTM N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor UniFETTM MOSFET เป็นตระกูล MOSFET แรงดันไฟฟ้าสูงของแฟร์ไชลด์ ด้วยแรงต้านจากสถานะที่เล็กที่สุดในบรรดา Planar MOSFETs และยังให้ประสิทธิภาพการสับเปลี่ยนที่เหนือกว่า และมีพลังงานที่เหนือกว่าด้วย นอกจากนี้ ESD diode ภายในของเกตภายในจะช่วยให้ UniFET-IITM MOSFET ทนต่อความเครียดจากคลื่น HBM ได้มากกว่า 2000V UniFETTM MOSFET เหมาะสําหรับการสลับโปรแกรมประยุกต์ตัวแปลงพลังงาน เช่น การแก้ไขพลังงาน (PFC), จอแสดงผลแบบแฟลต (FPD), TV ATX (Advanced Technology extended) และหลอดไฟอิเล็กทรอนิกส์
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:16 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:200 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:130 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 3V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:DPAK (TO-252)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- การกระจายพลังงานสูงสุด:89 W
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
- รหัส:864-8057
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1655-32 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | FDD18N20LZ | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 3,230
USD: 20.25
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(10pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|