64-1652-84 [เลิกผลิตแล้ว]IRLU3636PBF N-Channel MOSFET, 99 A, 60 V HEXFET, 3-Pin IPAK Infineon IRLU3636PBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 60V ถึง 80V, Infinion ช่วงที่ไม่สิ้นสุดของ HEXFET® power MOSFET® ที่ไม่ต่อเนื่องนั้นมีอุปกรณ์ N-channel mount และแพกเกจ Lead และ Form Factor ที่สามารถระบุรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบการระบายความร้อนได้ เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:99 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:60 V
- ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:8.3 Ω
- ค่าแรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 2.5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด:1V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-16 V, +16 V
- ชนิดแพคเกจ:IPAK (TO-251)
- ชนิดการเมาต์:ผ่านทางรู
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:143 W
- อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน:+175°ซ.
- รหัส:864-1028
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1652-84 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRLU3636PBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,080
USD: 6.77
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]IRLU3636PBF N-Channel MOSFET, 99 A, 60 V HEXFET, 3-Pin IPAK Infineon IRLU3636PBF](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/1652/84/64165283.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)