64-1645-50 FQPF7P20 P-Channel MOSFET, 5.2 A, 200 V QFET, 3 พิน to-220F บน Semiconductor FQPF7P20
คุณลักษณะ
- QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor MOSFET ใหม่ของ QFET® Planar MOSFET แบบ Fairchild ใช้เทคโนโลยีที่เป็นเทคโนโลยีเฉพาะเพื่อมอบประสิทธิภาพในการดําเนินงานที่ยอดเยี่ยมที่สุดสําหรับแอพพลิเคชันต่างๆ ซึ่งรวมถึงพาวเวอร์ซัพพลาย, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Panels (PDP), lighting ballasts และการควบคุมการเคลื่อนไหว ทําให้การสูญเสียสถานะลดลงด้วยการลดความต้านทาน (RDS(เปิด) และทําให้การสลับลดลงด้วยการลดค่าประตู (Qg) และการเก็บประจุเอาท์พุท (Coss) ด้วยการใช้เทคโนโลยีการประมวลผล QFET® ขั้นสูง Fairchild จึงสามารถนําเสนอค่าตอบแทนที่ดีขึ้นของประสิทธิภาพการทํางาน (FOM) สําหรับอุปกรณ์ MOSFET ที่กําลังแข่งขันกันอยู่ได้
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(50 ชิ้น)
- ชนิดของช่อง:P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน: 5.2 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:200 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:690 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 3V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-30 V, +30 V
- ชนิดแพคเกจ:TO-220F
- ชนิดการเมาต์:ผ่านทางรู
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:45 W
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
- หมายเลขรหัส:145-4636
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1645-50 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | FQPF7P20 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 11,900
USD: 74.59
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(50pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|