64-1630-38 STMcroelectorics 650V 22A, SiC Schottky Diode, 2-Pin to-220AC STPSC4H065DI STPSC4H065DI
คุณลักษณะ
- Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, STM Microectroelectronics ไดโอด Silicon Carbide (SiC) เป็นตัวแบ่งกระแสไฟฟ้าพลังสูงสุด ไม่มีหรือไม่สามารถสลับการทํางานย้อนกลับได้ โดยไม่ขึ้นอยู่กับอุณหภูมิที่จ่ายให้กับแอพพลิเคชั่น PFC High forward
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(50 ชิ้น)
- การกําหนดค่าไดโอด: Single
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
- แรงดันไฟฟ้าแบบย้อนกลับสูงสุด:650V
- ชนิดการเมาต์:ผ่านทางรู
- ประเภทแพ็คเกจ:TO-220AC
- เทคโนโลยีไดโอด:SiC Schottky
- จํานวนพิน: 2
- กระแสไฟฟ้าล่วงหน้าสูงสุดไม่เกิน 200A
- หมายเลขรหัส:168-8811
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1630-38 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | STPSC4H065DI | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 21,500
USD: 134.77
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(50pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|