64-1599-35 ［เลิกผลิตแล้ว］IPB180P04P403ATMA1 P-Channel MOSFET, 180 A, 40 V OptiMOS P, 7-Pin D2PAK Infineon IPB180P04P403ATMA1
คุณลักษณะ
- ไม่มี OptiMOSTMP P-Channel Power MOSFET OptiMOS ™ P-Channel Power MOSFET ได้รับการออกแบบเพื่อให้คุณลักษณะที่เหนือกว่ามีคุณภาพในการทํางาน โดยประกอบด้วยการสูญเสียการสลับเป็นพิเศษ ความต้านทานต่ําของรัฐ การจัดอันดับของกลุ่มอาวาล็องช์ และเป็น AEC ที่มีคุณสมบัติเหมาะสมสําหรับโซลูชั่นยานยนต์ แอพพลิเคชั่นต่างๆ ประกอบด้วย dc-dc, การควบคุมมอเตอร์, ยานยนต์และ eMobility โหมดการปรับปรุง Avalance จัดอันดับประสิทธิภาพการเปลี่ยนแปลงต่ําและการสูญเสียพลังงานอย่างน้อย Pb ปราศจากการนําไฟฟ้า แพ็คเกจมาตรฐานที่เป็นไปตาม RoHS OptiMOSTM P-Channel Series: ช่วงอุณหภูมิตั้งแต่ -55°C ถึง +175°C
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(1000 ชิ้น)
- ชนิดของช่อง:P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:180 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:40 V
- แหล่งที่มาของการดูดซึมสูงสุด:2.8 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพคเกจ:D2PAK (TO-263)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน: 7
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:150 W
- ความกว้าง:9.25 มม.
- รหัส:857-8674
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1599-35 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IPB180P04P403ATMA1 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 234,000
USD: 1,466.81
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(1000pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |