64-1599-32 ［เลิกผลิตแล้ว］IPB100N04S4H2ATMA1 N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V OptiMOS T2, 3-Pin D2PAK Infineon IPB100N04S4H2ATMA1
คุณลักษณะ
- Infineon OptiMOSTM T2 Power MOSFET OptiMOS ™ -T2 ใหม่ที่ยังไม่พบมีทรานซิสเตอร์ MOSFET ที่มีประสิทธิภาพด้านพลังงาน ซึ่งมีการลด CO2 และไดร์ฟไฟฟ้า ตระกูลผลิตภัณฑ์ OptiMOSTM-T2 ใหม่นี้ขยายครอบครัวที่มีอยู่ของ OptiMOSTM -T และ OptiMOSTM ผลิตภัณฑ์ OptiMOSTM มีในแพ็คเกจประสิทธิภาพสูง เพื่อรับมือกับแอปพลิเคชันที่ท้าทายมากที่สุด เพื่อให้มีความยืดหยุ่นสูงสุดในช่องว่างที่จํากัด ผลิตภัณฑ์จํากัดเหล่านี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อให้ตรงตามและสูงกว่าความต้องการด้านประสิทธิภาพด้านพลังงานและความหนาแน่นของพลังงาน ของมาตรฐานการควบคุมแรงดันไฟฟ้าที่คมที่สุดในยุคถัดไปในการใช้งานคอมพิวเตอร์ N-channel - Enhancement mode AEC ที่ผ่านคุณสมบัติ MSL1 สูงสุดถึง 260°C อุณหภูมิในการทํางานที่สูงสุด 175°C ผลิตภัณฑ์สีเขียว (เป็นไปตามมาตรฐาน RoHS)
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(1000 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:100 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:40 V
- แหล่งที่มาของการดูดซึมสูงสุด:2.7 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพคเกจ:D2PAK (TO-263)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:115 W
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
- รหัส:857-8652
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1599-32 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IPB100N04S4H2ATMA1 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 130,000
USD: 814.89
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(1000pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |