64-1475-37 ［เลิกผลิตแล้ว］IRF6201TRPBF N-Channel MOSFET, 27 A, 20 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infinion IRF6201TRPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 12V ถึง 25V, Infinion การใช้พลังงาน HEXFET® MOSFET แบบไม่ต่อเนื่องของ Infineon ประกอบด้วยอุปกรณ์ N-channel mount บนพื้นผิวและแพกเกจ leaded และ form factor ซึ่งสามารถตอบได้เกือบทุกรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อน เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:27 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:20 V
- แหล่งที่มาของการดูดซึมสูงสุด:2.7 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:1.1V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 0.5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-12 V, +12 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SOIC
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:2.5 W
- อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน:+150°ซ.
- รหัส:831-2843
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1475-37 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRF6201TRPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,030
USD: 6.41
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(10pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |