64-1472-86 ［เลิกผลิตแล้ว］IRLMS5703TRPBF P-Channel MOSFET, 2.4 A, 30 V HEXFET, 6-Pin Micro6 Infinion IRLMS5703TRPBF
คุณลักษณะ
- P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon รูปแบบการแยกของ HEXFET® power MOSFET® ที่ไม่ต่อเนื่องนั้นมีอุปกรณ์ P-channel mount บนพื้นผิวและแพกเกจ leaded และ form factor ที่สามารถระบุได้ว่าเค้าโครงของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อนได้เกือบทุกรูปแบบ เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(50 ชิ้น)
- ชนิดของช่อง:P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: ปัจจุบัน: 2.4 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด: 30 V
- ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:325 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:1V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด:1V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพ็คเกจ:Micro6
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:1.7 W
- ประจุเกตทั่วไป @ Vgs:7.2nC @ 10 V
- รหัส:830-3335
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1472-86 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRLMS5703TRPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 2,440
USD: 15.18
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(50pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |