64-1472-73 IRL024NTRPBF N-Channel MOSFET, 4.4 A, 55 V HEXFET, 3 + Tab-Pin SOT-223 Infineon IRLL024NTRPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon การใช้พลังงาน HEXFET® MOSFET แบบไม่ต่อเนื่องของ Infineon ประกอบด้วยอุปกรณ์ N-channel mount บนพื้นผิวและแพกเกจ leaded และ form factor ซึ่งสามารถตอบได้เกือบทุกรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อน เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(20 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 4.4 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:55 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:100 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด:1V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-16 V, +16 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SOT-223
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3 + แท็บ
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:2.1 W
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
- รหัส:830-3300
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1472-73 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRLL024NTRPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 2,150
USD: 13.38
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(20pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|