64-1468-44 LND150N8-G N-Channel MOSFET, 30 mA, 500 V, 4-Pin to-243A Microarchitecture LND150N8-G
คุณลักษณะ
- ทรานซิสเตอร์ MOSFET ของ Supertex N-Channel Deploting Mode ช่วงซูเปอร์เท็กซ์ของทรานซิสเตอร์ DMOS FET ในโหมดลดลงของ N-channel เหมาะสําหรับแอพพลิเคชันที่ต้องการแรงดันไฟฟ้าสถิตย์สูง ความต้านทานสูง ความจุในการป้อนข้อมูลต่ําและความเร็วในการสลับสาย คุณลักษณะ ความต้านทานสูง การสลับความสามารถในการป้อนข้อมูลต่ํา รวดเร็ว ความเร็วในการสลับต่ํา ฟรีจากการแยกข้อมูลรอง การป้อนข้อมูลและการรั่วไหลของเอาท์พุทต่ํา แอพพลิเคชั่นทั่วไป สวิตช์ Solid state โดยปกติจะหมายถึงตัวแปลงสัญญาณแบบเชิงเส้นและขยายสัญญาณ แหล่งจ่ายไฟปัจจุบัน วงจรพาวเวอร์ซัพพลายคงที่ โทรคมนาคม
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(20 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:30mA
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:500 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:1 kΩ
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 3V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:TO-243AA
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน: 4
- โหมดแชนเนล:การลดลง
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:1.6 W
- เวลาหน่วงในการปิดปกติ:100 ns
- รหัส:829-3253
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1468-44 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | LND150N8-G | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 2,800
USD: 17.56
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(20pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|