64-1456-86 [เลิกผลิตแล้ว]IPB039N10N3GATMA1 N-Channel MOSFET, 160 A, 100 V OptiMOS 3, 7 พิน D2PAK Infineon IPB039N10N3GATMA1
คุณลักษณะ
- Infineon OptiMOSTM3 Power MOSFETs, 100V และอื่นๆ
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(1000 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:160 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:100 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:7.1 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 3.5V
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพคเกจ:D2PAK (TO-263)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน: 7
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:214 W
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
- หมายเลขรหัส:165-5690
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1456-86 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IPB039N10N3GATMA1 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 170,000
USD: 1,065.63
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(1000pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]IPB039N10N3GATMA1 N-Channel MOSFET, 160 A, 100 V OptiMOS 3, 7 พิน D2PAK Infineon IPB039N10N3GATMA1](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/1456/86/64145686.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)