64-1455-76 ［เลิกผลิตแล้ว］IRFTS8342TRPBF N-Channel MOSFET, 8.2 A, ฮีทซิงค์ 30 V, 6 พิน TSOP Infineon IRFTS8342TRPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon ช่วงที่ไม่สิ้นสุดของ HEXFET® power MOSFET® ที่ไม่ต่อเนื่องนั้นมีอุปกรณ์ N-channel mount และแพกเกจ Lead และ Form Factor ที่สามารถระบุรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบการระบายความร้อนได้ เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(3000 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:8.2 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด: 30 V
- แหล่งที่มาของการดูดซึมสูงสุด:29 Ω
- ค่าแรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:2.35V
- ค่าแรงขั้นต่ําเกต:1.35V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:TSOP
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน: 6
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:2 W
- เวลาหน่วงในการเปิดระบบโดยทั่วไป:7.3 ns
- หมายเลขรหัส:165-5807
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1455-76 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRFTS8342TRPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 93,100
USD: 583.59
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(3000pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |