64-1455-61 IRFR9120NTRPBF P-Channel MOSFET, 6.6 A, 100 V HEXFET, 3-Pin DPAK Infineon IRFR9120NTRPBF
คุณลักษณะ
- P-Channel Power MOSFET 100V ถึง 150V, Infineon รูปแบบการแยกของ HEXFET® power MOSFET® ที่ไม่ต่อเนื่องนั้นมีอุปกรณ์ P-channel mount บนพื้นผิวและแพกเกจ leaded และ form factor ที่สามารถระบุได้ว่าเค้าโครงของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อนได้เกือบทุกรูปแบบ เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(20 ชิ้น)
- ชนิดของช่อง:P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 6.6 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:100 V
- ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:480 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:DPAK (TO-252)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:40 W
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
- รหัส:827-4082
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1455-61 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRFR9120NTRPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 3,810
USD: 23.71
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(20pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|