64-1455-56 ［เลิกผลิตแล้ว］IRFR4105ZPBF N-Channel MOSFET, 30 A, 55 V HEXFET, 3-Pin DPAK Infineon IRFR4105ZPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon การใช้พลังงาน HEXFET® MOSFET แบบไม่ต่อเนื่องของ Infineon ประกอบด้วยอุปกรณ์ N-channel mount บนพื้นผิวและแพกเกจ leaded และ form factor ซึ่งสามารถตอบได้เกือบทุกรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อน เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(75 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน: 30 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:55 V
- ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:24.5 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:DPAK (TO-252)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:48 W
- อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน:+175°ซ.
- หมายเลขรหัส:165-7558
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1455-56 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRFR4105ZPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 17,400
USD: 108.26
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(75pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |