64-1455-49 ［เลิกผลิตแล้ว］IRFR3410TRPBF N-Channel MOSFET, 31 A, 100 V HEXFET, 3-Pin DPAK Infineon IRFR3410TRPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 100V, Infinion ช่วงที่ไม่สิ้นสุดของ HEXFET® power MOSFET® ที่ไม่ต่อเนื่องนั้นมีอุปกรณ์ N-channel mount และแพกเกจ Lead และ Form Factor ที่สามารถระบุรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบการระบายความร้อนได้ เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(2000 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:31 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:100 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:39 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:DPAK (TO-252)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:110 W
- อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน:+175°ซ.
- หมายเลขรหัส:165-5965
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1455-49 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRFR3410TRPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 97,200
USD: 604.78
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(2000pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |