64-1455-43 [เลิกผลิตแล้ว]IRFR024NTRPBF N-Channel MOSFET, 17 A, 55 V HEXFET, 3-Pin DPAK Infineon IRFR024NTRPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon การใช้พลังงาน HEXFET® MOSFET แบบไม่ต่อเนื่องของ Infineon ประกอบด้วยอุปกรณ์ N-channel mount บนพื้นผิวและแพกเกจ leaded และ form factor ซึ่งสามารถตอบได้เกือบทุกรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อน เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(20 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:17 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:55 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:DPAK (TO-252)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:45 W
- อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน:+175°ซ.
- รหัส:827-4029
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1455-43 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRFR024NTRPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,490
USD: 9.35
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(20pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]IRFR024NTRPBF N-Channel MOSFET, 17 A, 55 V HEXFET, 3-Pin DPAK Infineon IRFR024NTRPBF](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/1455/43/64145542.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)