64-1455-18 [เลิกผลิตแล้ว]IRFB3306GPBF N-Channel MOSFET, 160 A, 60 V HEXFET, 3-Pin to-220AB Infineon IRFB3306GPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 60V ถึง 80V, Infinion ช่วงที่ไม่สิ้นสุดของ HEXFET® power MOSFET® ที่ไม่ต่อเนื่องนั้นมีอุปกรณ์ N-channel mount และแพกเกจ Lead และ Form Factor ที่สามารถระบุรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบการระบายความร้อนได้ เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:160 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:60 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:4.2 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:TO-220AB
- ชนิดการเมาต์:ผ่านทางรู
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:230 W
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
- รหัส:827-3940
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1455-18 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRFB3306GPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 2,040
USD: 12.79
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]IRFB3306GPBF N-Channel MOSFET, 160 A, 60 V HEXFET, 3-Pin to-220AB Infineon IRFB3306GPBF](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/1455/18/64145517.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)