64-1455-07 ［เลิกผลิตแล้ว］IRF9317TRPBF P-Channel MOSFET, 16 A, 30 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infinion IRF9317TRPBF
คุณลักษณะ
- P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon รูปแบบการแยกของ HEXFET® power MOSFET® ที่ไม่ต่อเนื่องนั้นมีอุปกรณ์ P-channel mount บนพื้นผิวและแพกเกจ leaded และ form factor ที่สามารถระบุได้ว่าเค้าโครงของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อนได้เกือบทุกรูปแบบ เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(4000 ชิ้น)
- ชนิดของช่อง:P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:16 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด: 30 V
- แหล่งที่มาของการดูดซึมสูงสุด:10.2 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 2.4V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 1.3V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SOIC
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 8
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:2.5 W
- ประจุเกตทั่วไป @ Vgs:31nC @ 4.5 V, 61 nC @ 10 V
- รหัส:168-7937
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1455-07 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRF9317TRPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 285,000
USD: 1,786.50
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(4000pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |