64-1453-90 DMN2014LHAB-7 Dual N-Channel MOSFET, 9.3 A, 20 V, 7-Pin U-DFN2030 Diods Inc DMN2014LHAB-7
คุณลักษณะ
- Dual N-Channel MOSFET, Diods Inc.
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(50 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:9.3 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:20 V
- แหล่งที่มาของการดูดซึมสูงสุด:28 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:1.1V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-12 V, +12 V
- ประเภทแพ็คเกจ:U-DFN2030
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน: 7
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:1.7 W
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:2
- รหัส:827-0462
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1453-90 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | DMN2014LHAB-7 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 5,280
USD: 33.10
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(50pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|