Infineon

64-1451-79 IPB120N06S402ATMA2 N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V OptiMOS T2, 3-Pin D2PAK Infinion IPB120N06S402ATMA2

คุณลักษณะ

  • Infineon OptiMOSTM T2 Power MOSFET OptiMOS ™ -T2 ใหม่ที่ยังไม่พบมีทรานซิสเตอร์ MOSFET ที่มีประสิทธิภาพด้านพลังงาน ซึ่งมีการลด CO2 และไดร์ฟไฟฟ้า ตระกูลผลิตภัณฑ์ OptiMOSTM-T2 ใหม่นี้ขยายครอบครัวที่มีอยู่ของ OptiMOSTM -T และ OptiMOSTM ผลิตภัณฑ์ OptiMOSTM มีในแพ็คเกจประสิทธิภาพสูง เพื่อรับมือกับแอปพลิเคชันที่ท้าทายมากที่สุด เพื่อให้มีความยืดหยุ่นสูงสุดในช่องว่างที่จํากัด ผลิตภัณฑ์จํากัดเหล่านี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อให้ตรงตามและสูงกว่าความต้องการด้านประสิทธิภาพด้านพลังงานและความหนาแน่นของพลังงาน ของมาตรฐานการควบคุมแรงดันไฟฟ้าที่คมที่สุดในยุคถัดไปในการใช้งานคอมพิวเตอร์ N-channel - Enhancement mode AEC ที่ผ่านคุณสมบัติ MSL1 สูงสุดถึง 260°C อุณหภูมิในการทํางานที่สูงสุด 175°C ผลิตภัณฑ์สีเขียว (เป็นไปตามมาตรฐาน RoHS)

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
  • ชนิดช่อง:N
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:120 A
  • ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:60 V
  • แหล่งที่มาของการดูดซึมสูงสุด:2.8 Ω
  • แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V
  • แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
  • แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
  • ประเภทแพคเกจ:D2PAK (TO-263)
  • ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
  • การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
  • โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • ประเภท:พลังงาน
  • การกระจายพลังงานสูงสุด:188 W
  • ความยาว:10มม.
  • รหัส:826-9235
  •  
หมายเลขใบสั่ง 64-1451-79
หมายเลขแบบจําลอง IPB120N06S402ATMA2
ราคามาตรฐาน JPY: 4,560 USD: 28.60
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1bag(10pieces)
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น
หุ้นซัพพลายเออร์