64-1450-55 ［เลิกผลิตแล้ว］IRF7301TRPBF Dual N-Channel MOSFET, 5.2 A, 20 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infinion IRF7301TRPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 12V ถึง 25V, Infinion การใช้พลังงาน HEXFET® MOSFET แบบไม่ต่อเนื่องของ Infineon ประกอบด้วยอุปกรณ์ N-channel mount บนพื้นผิวและแพกเกจ leaded และ form factor ซึ่งสามารถตอบได้เกือบทุกรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อน เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(4000 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน: 5.2 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:20 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 0.7V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 0.7V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-12 V, +12 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SOIC
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 8
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:2 W
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
- รหัส:165-5934
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1450-55 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRF7301TRPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 172,000
USD: 1,078.17
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(4000pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |