64-1446-48 IPB027N10N3GATMA1 N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V OptiMOS 3, 3-Pin D2PAK Infineon IPB027N10N3GATMA1
คุณลักษณะ
- Infineon OptiMOSTM3 Power MOSFETs, 100V และอื่นๆ
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(2 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:120 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:100 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:4.5 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 3.5V
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพคเกจ:D2PAK (TO-263)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:300 W
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
- รหัส:825-9235
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1446-48 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IPB027N10N3GATMA1 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,320
USD: 8.27
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(2pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|