64-1446-33 [เลิกผลิตแล้ว]IPB60R165CPATMA1 N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V CoolMOS CP, 3-Pin D2PAK Infineon IPB60R165CPATMA1
คุณลักษณะ
- Infineon CoolMOSTMCP Power MOSFET
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:21 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:650 V
- ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:165 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 3.5V
- ค่าแรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2.5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-30 V, +30 V
- ประเภทแพคเกจ:D2PAK (TO-263)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:192 W
- ชุดข้อมูล:CoolMOS CP
- รหัส:825-9178
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1446-33 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IPB60R165CPATMA1 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 2,580
USD: 16.17
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]IPB60R165CPATMA1 N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V CoolMOS CP, 3-Pin D2PAK Infineon IPB60R165CPATMA1](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/1446/33/64144633.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)