64-1446-31 ［เลิกผลิตแล้ว］IPD50R399CPBTMA1 N-Channel MOSFET, 9 A, 550 V CoolMOS CP, DPAK Infineon 3 พิน IPD50R399CPBTMA1
คุณลักษณะ
- Infineon CoolMOSTMCP Power MOSFET
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(2500 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:9 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:550 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:900 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 3.5V
- ค่าแรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2.5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-30 V, +30 V
- ชนิดแพคเกจ:DPAK (TO-252)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:83 W
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
- หมายเลขรหัส:165-6885
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1446-31 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IPD50R399CPBTMA1 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 337,000
USD: 2,096.81
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(2500pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |