คุณลักษณะคุณลักษณะ class="init">

取扱点数300万点

How to use

English China Indonesia Korea Thailand Vietnam

Contact us

すべてのカテゴリ すべてのカテゴリ อุปกรณ์และอุปกรณ์ประกอบห้องปฏิบัติการ เครื่องมือและวัสดุสําหรับทํางานจากโรงงาน ล้างข้อมูลห้อง/ป้องกันอุปกรณ์แบบคงที่ ผลิตภัณฑ์ทางการแพทย์ การพยาบาล และการดูแลรักษา การสุขาภิบาลและการตรวจสอบอาหาร อุปกรณ์สําหรับ Office และสเตชันเนอรี อุปกรณ์ฉุกเฉิน การศึกษา, เรียนรู้อุปกรณ์ สินค้าที่สั่งแบบพิเศษ Featured Products

Contact us

Quote Other Requests

• AXEL GLOBAL
• カテゴリ一覧
• อุปกรณ์และอุปกรณ์ประกอบห้องปฏิบัติการ
• ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์/อุปกรณ์ควบคุม
• ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์, พาวเวอร์และคอนเน็กเตอร์
• สารกึ่งตัวนํา
• เซมิคอนดักเตอร์แบบไม่ต่อเนื่อง
• 64-1446-30 IPD034N06N3GATMA1 N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V OptiMOS 3, DPAK Infineon 3 พิน　IPD034N06N3GATMA1

• AXEL GLOBAL
• カテゴリ一覧
• อุปกรณ์และอุปกรณ์ประกอบห้องปฏิบัติการ
• ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์/อุปกรณ์ควบคุม
• อาร์เอส คอมโพเนนต์
• 64-1446-30 IPD034N06N3GATMA1 N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V OptiMOS 3, DPAK Infineon 3 พิน　IPD034N06N3GATMA1

Infineon

64-1446-30　IPD034N06N3GATMA1 N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V OptiMOS 3, DPAK Infineon 3 พิน　IPD034N06N3GATMA1

• 印刷

• PDF

• 

• English

特徴

• Infineon OptiMOSTM3 Power MOSFETs, 60 ถึง 80V ผลิตภัณฑ์ OptiMOSTM มีในแพ็คเกจประสิทธิภาพสูง เพื่อรับมือกับแอปพลิเคชันที่ท้าทายมากที่สุด เพื่อให้มีความยืดหยุ่นสูงสุดในช่องว่างที่จํากัด ผลิตภัณฑ์จํากัดเหล่านี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อให้ตรงตามและสูงกว่าความต้องการด้านประสิทธิภาพด้านพลังงานและความหนาแน่นของพลังงาน ของมาตรฐานการควบคุมแรงดันไฟฟ้าที่คมที่สุดในยุคถัดไปในการใช้งานคอมพิวเตอร์ การสลับ MOSFET อย่างรวดเร็วสําหรับเทคโนโลยี SMPS ที่ปรับตามความเหมาะสมสําหรับตัวแปลง DC/DC ที่ตรงตามหลักเกณฑ์ของ JEDEC1) สําหรับแอพพลิเคชันเป้าหมาย N แชนแนล, ระดับ Overlic gate charge x R ผลิตภัณฑ์ (OFM) ต่ํามากสําหรับแพลตฟอร์ม DS(on) แบบปราศจาก Pb

ข้อมูลจําเพาะ

• ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
• ชนิดช่อง:N
• รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:100 A
• ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:60 V
• แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:3.4 Ω
• แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V
• แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
• แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
• ชนิดแพคเกจ:DPAK (TO-252)
• ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
• จํานวนหมุด: 3
• โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
• ประเภท:พลังงาน
• การกระจายพลังงานสูงสุด:167 W
• วัสดุทรานซิสเตอร์:ใช่
• รหัส:825-9168
•  

หมายเลขใบสั่ง	64-1446-30
หมายเลขแบบจําลอง	IPD034N06N3GATMA1
ราคามาตรฐานอะโซนs="init"> ผลิตภัณฑ์ : 3 มิลิออน สินค้า วิธีใช้ English China Indonesia Korea Thailand Vietnam ติดต่อเรา ประเภททั้งหมด ประเภททั้งหมด อุปกรณ์และอุปกรณ์ประกอบห้องปฏิบัติการ เครื่องมือและวัสดุสําหรับทํางานจากโรงงาน ล้างข้อมูลห้อง/ป้องกันอุปกรณ์แบบคงที่ ผลิตภัณฑ์ทางการแพทย์ การพยาบาล และการดูแลรักษา การสุขาภิบาลและการตรวจสอบอาหาร อุปกรณ์สําหรับ Office และสเตชันเนอรี อุปกรณ์ฉุกเฉิน การศึกษา, เรียนรู้อุปกรณ์ สินค้าที่สั่งแบบพิเศษ Featured Products ติดต่อเรา ใบเสนอราคา การร้องขออื่นๆ แอกเซลโกลบอล หมวดหมู่ อุปกรณ์และอุปกรณ์ประกอบห้องปฏิบัติการ ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์/อุปกรณ์ควบคุม ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์, พาวเวอร์และคอนเน็กเตอร์ สารกึ่งตัวนํา เซมิคอนดักเตอร์แบบไม่ต่อเนื่อง 64-1446-30 IPD034N06N3GATMA1 N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V OptiMOS 3, DPAK Infineon 3 พิน　IPD034N06N3GATMA1 แอกเซลโกลบอล หมวดหมู่ อุปกรณ์และอุปกรณ์ประกอบห้องปฏิบัติการ ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์/อุปกรณ์ควบคุม อาร์เอส คอมโพเนนต์ 64-1446-30 IPD034N06N3GATMA1 N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V OptiMOS 3, DPAK Infineon 3 พิน　IPD034N06N3GATMA1 Infineon 64-1446-30　IPD034N06N3GATMA1 N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V OptiMOS 3, DPAK Infineon 3 พิน　IPD034N06N3GATMA1 พิมพ์ PDF English คุณลักษณะ Infineon OptiMOSTM3 Power MOSFETs, 60 ถึง 80V ผลิตภัณฑ์ OptiMOSTM มีในแพ็คเกจประสิทธิภาพสูง เพื่อรับมือกับแอปพลิเคชันที่ท้าทายมากที่สุด เพื่อให้มีความยืดหยุ่นสูงสุดในช่องว่างที่จํากัด ผลิตภัณฑ์จํากัดเหล่านี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อให้ตรงตามและสูงกว่าความต้องการด้านประสิทธิภาพด้านพลังงานและความหนาแน่นของพลังงาน ของมาตรฐานการควบคุมแรงดันไฟฟ้าที่คมที่สุดในยุคถัดไปในการใช้งานคอมพิวเตอร์ การสลับ MOSFET อย่างรวดเร็วสําหรับเทคโนโลยี SMPS ที่ปรับตามความเหมาะสมสําหรับตัวแปลง DC/DC ที่ตรงตามหลักเกณฑ์ของ JEDEC1) สําหรับแอพพลิเคชันเป้าหมาย N แชนแนล, ระดับ Overlic gate charge x R ผลิตภัณฑ์ (OFM) ต่ํามากสําหรับแพลตฟอร์ม DS(on) แบบปราศจาก Pb ข้อมูลจําเพาะ ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น) ชนิดช่อง:N รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:100 A ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:60 V แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:3.4 Ω แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V ชนิดแพคเกจ:DPAK (TO-252) ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว จํานวนหมุด: 3 โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ ประเภท:พลังงาน การกระจายพลังงานสูงสุด:167 W วัสดุทรานซิสเตอร์:ใช่ รหัส:825-9168   หมายเลขใบสั่ง 64-1446-30 หมายเลขแบบจําลอง IPD034N06N3GATMA1 ราคามาตรฐาน JPY: 2,820 USD: 17.69 Excange rate 1USD= 159.42JPY Valid price in Japan ปริมาณ 1bag(10pieces) หุ้นในประเทศญี่ปุ่น หุ้นซัพพลายเออร์ ใบเสนอราคา การร้องขออื่นๆ หน้านี้เป็นหน้าของ IPD034N06N3GATMA1 N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V OptiMOS 3, DPAK Infineon 3 พิน ที่ขายโดย AS ONE CORPORATION AXEL GLOBAL คือเว็บไซต์ที่แสดงรายการผลิตภัณฑ์กว่า 3 ล้านชิ้นที่ใช้ในหลากหลายสาขา ซึ่งรวมถึงการวิจัยและการพัฒนา การผลิต การสารกึ่งตัวนํา การแพทย์ การดูแลทางการพยาบาล และสุขาภิบาลด้านอาหาร