64-1432-25 ［เลิกผลิตแล้ว］NVMFD5852NLT1G Dual N-Channel MOSFET, 44 A, 40 V, 8 พิน DFN บนตัวนํา NVMFD5852NLT1G
คุณลักษณะ
- Dual N-Channel MOSFET, บนตัวนํา
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:44 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:40 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:12 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 2.4V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:DFN
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:ไม่ระบุ
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:27 W
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:2
- รหัส:823-4166
| หมายเลขใบสั่ง | 64-1432-25 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | NVMFD5852NLT1G | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,960
USD: 12.29
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(10pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |