ใบเสนอราคาใบเสนอราคาs="init"> 64-1397-78 SQ4431EY-T1_GE3 P-Channel MOSFET, 6.2 A, 30 V SQ Rugged, 8-Pin SOIC Vishay SQ4431EY-T1_GE3 【AXEL GLOBAL】<!--@[ss-27]@--> アズワン<!--@/[ss-27]@--> 取扱点数300万点 How to use English China Indonesia Korea Thailand Vietnam Contact us すべてのカテゴリ すべてのカテゴリ อุปกรณ์และอุปกรณ์ประกอบห้องปฏิบัติการ เครื่องมือและวัสดุสําหรับทํางานจากโรงงาน ล้างข้อมูลห้อง/ป้องกันอุปกรณ์แบบคงที่ ผลิตภัณฑ์ทางการแพทย์ การพยาบาล และการดูแลรักษา การสุขาภิบาลและการตรวจสอบอาหาร อุปกรณ์สําหรับ Office และสเตชันเนอรี อุปกรณ์ฉุกเฉิน การศึกษา, เรียนรู้อุปกรณ์ สินค้าที่สั่งแบบพิเศษ Featured Products Contact us Quote Other Requests AXEL GLOBAL カテゴリ一覧 อุปกรณ์และอุปกรณ์ประกอบห้องปฏิบัติการ ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์/อุปกรณ์ควบคุม ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์, พาวเวอร์และคอนเน็กเตอร์ สารกึ่งตัวนํา เซมิคอนดักเตอร์แบบไม่ต่อเนื่อง 64-1397-78 SQ4431EY-T1_GE3 P-Channel MOSFET, 6.2 A, 30 V SQ Rugged, 8-Pin SOIC Vishay SQ4431EY-T1_GE3 AXEL GLOBAL カテゴリ一覧 อุปกรณ์และอุปกรณ์ประกอบห้องปฏิบัติการ ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์/อุปกรณ์ควบคุม อาร์เอส คอมโพเนนต์ 64-1397-78 SQ4431EY-T1_GE3 P-Channel MOSFET, 6.2 A, 30 V SQ Rugged, 8-Pin SOIC Vishay SQ4431EY-T1_GE3 Vishay 64-1397-78 SQ4431EY-T1_GE3 P-Channel MOSFET, 6.2 A, 30 V SQ Rugged, 8-Pin SOIC Vishay SQ4431EY-T1_GE3 印刷 PDF English 特徴 P-Channel MOSFET, SQL Ruged Series, Vishay Semiconductor 仕様 ปริมาณ:1set(2500 ชิ้น) ชนิดของช่อง:P รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน: 6.2 A แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด: 30 V ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:52 Ω แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 1.5V แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V ประเภทแพ็คเกจ:SOIC ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ การกระจายพลังงานสูงสุด:6 W อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน:+175°ซ. หมายเลขรหัส:165-6285 アズワン品番 64-1397-78 型番 SQ4431EY-T1_GE3 標準価格 JPY: 282,000 USD: 1,768.91 Excange rate 1USD= 159.42JPYValid price in Japan 入り数 1set(2500pieces) 在庫数 サプライヤ在庫 お見積もり การร้องขออื่นๆ
お見積もり
การร้องขออื่นๆ
